闪存是一种非易失性存储器芯片，用于存储和在个人计算机和数字设备之间传输数据。它具有电子重编程和擦除的能力。常见于USB闪存驱动器，数码相机和固态驱动器。
闪存是一种非易失性存储器芯片，用于存储和在个人计算机（PC）和数字设备之间传输数据。它具有电子重编程和擦除的能力。它常见于 USB 闪存驱动器，MP3 播放器，数码相机和固态驱动器。
闪存是一种电子可擦除可编程只读存储器（EEPROM），但也可以是独立的存储器存储设备，例如 USB 驱动器。EEPROM 是一种使用电子设备擦除或写入数字数据的数据存储设备。闪存是一种独特类型的 EEPROM，可以用大块编程和擦除。
闪存结合使用浮栅晶体管来存储数据。浮栅晶体管或浮栅 MOSFET（FGMOS）类似于 MOSFET，MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。浮栅晶体管是电隔离的并且在直流（DC）中使用浮动节点。闪存类似于标准 MOFSET，除了晶体管有两个门而不是一个。
闪存最早于 1980 年推出，由东芝公司（TOSBF）的发明人兼中级工厂经理 Fujio Masuoka 博士开发。闪存是以能够在闪存中擦除数据块的能力命名的。“Masuoka 博士的目标是在电源关闭时创建一个保存数据的存储芯片.Masuoka 博士还发明了一种称为内存的存储器。 SAMOS 开发了 1Mb 动态随机存取存储器（DRAM）。1988 年，英特尔公司生产出靠前款商用 NOR 型闪存芯片，取代了包含基本输入/输出操作的 PC 主板上的永久只读存储器（ROM）芯片。系统（BIOS）。
闪存芯片由 NOR 或 NAND 门组成。NOR 是英特尔于 1988 年创建的一种存储单元.NOR 门接口支持完整地址，数据总线和对任何存储单元的随机访问。NOR 闪存的保存期限为 10,000 到 1,000,000 次写入/擦除周期。
NAND 是由东芝在 NOR 生产一年后开发的。它更快，每比特成本更低，每个单元需要更少的芯片面积并且增加了弹性。NAND 门的保存期限约为 100,000 次写入/擦除周期。在 NOR 门闪光中，每个单元的一端连接到位线，另一端连接到地。如果字线为“高”，则晶体管继续降低输出位线。
闪存有许多功能。它比 EEPROM 便宜得多，并且不需要用于固态存储的电池，例如静态 RAM（SRAM）。它是非易失性的，具有非常快的访问时间，并且与硬盘驱动器相比具有更高的动态冲击阻力。闪存非常耐用，可承受强压或极端温度。它可用于各种应用，如数码相机，移动电话，笔记本电脑，PDA（个人数字助理），数字音频播放器和固态硬盘（SSD）。
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