【techweb报道】1月31日消息,智能手机如果想更快除了CPU处理器,还有一个很重要的,那就是UFS,顾名思义通常所说的"通用闪存存储"。现在最新消息, JEDEC(固态技术协会)正式发布了UFS 3.0,比UFS 2.1性能翻番,达到了2.9GB/s。
据消息了解,JEDEC(固态技术协会)发布Universal Flash Storage 的UFS&UFSHCI通用闪存存储v3.0标准(JESD220D、JESD223D),以及UFS存储卡v1.1标准(JESD220-2A)。
UFS 3.0是针对需要高性能、低功耗的移动应用和计算系统而开发的,引入HS-G4规范,单通道带宽提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍多。再考虑到UFS支持双通道双向读写,在理论的接口带宽最高23.2Gbps,约2.9GB/s。
UFS 3.0标准的互连层设计采用MIPI移动产业处理器接口的规范协议,其中物理层依据 MIPI M-PHY v4.1,传输层依据MIPI UniProSM v1.8。除了面向智能手机、平板等电子设备外,UFS 3.0还加入了一些汽车市场的特性,如工作温度支持零下40度到高温105摄氏度。
最后,JEDEC(固态技术协会)除了发布UFS 3.0存储标准,还公布了UFS存储卡v1.1标准(JESD220-2A),将实现对HS-Gear1/2/3的全部兼容,最高存储速度达到1.5GB/s。如此看来,今年智能手机将会更快,并且很有效的告别卡顿了,最重要的就是看UFS 3.0产能了。
免责声明:文章内容不代表本站立场,本站不对其内容的真实性、完整性、准确性给予任何担保、暗示和承诺,仅供读者参考;文章版权归原作者所有!本站作为信息内容发布平台,页面展示内容的目的在于传播更多信息;本站不提供任何相关服务,阁下应知本站所提供的内容不能做为操作依据。市场有风险,投资需谨慎!如本文内容影响到您的合法权益(含文章中内容、图片等),请及时联系本站,我们会及时删除处理。